| Al/Cu微米级厚度薄膜扩散连接工艺及显微组织分析 |
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| 引用本文： | 谢军,吴卫东,杜凯,郑凤成,叶成钢,黄丽珍,袁光辉. Al/Cu微米级厚度薄膜扩散连接工艺及显微组织分析[J]. 原子能科学技术, 2004, 38(Z1): 120-124 |
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| 作者姓名： | 谢军 吴卫东 杜凯 郑凤成 叶成钢 黄丽珍 袁光辉 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国家高技术863-804-4项目资助课题 |
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| 摘 要： | 采用真空扩散连接工艺法,对Al与Cu薄膜扩散连接接头的组织性能进行实验研究,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪等测试方法对连接接头过渡区及基体组织和性能进行了分析.实验结果表明采用真空扩散连接工艺,加热温度为250℃、保温时间为30 min、压力为5 MPa时,Al/Cu薄膜界面处形成明显的过渡区,扩散界面控制在150 nm以内.
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| 关 键 词： | 惯性约束聚变 扩散连接 铝 铜 薄膜 工艺 |
| 文章编号： | 1000-6931(2004)S0-0120-05 |
| 修稿时间： | 2004-04-15 |
Process and Microstructure Analysis in Vacuum Diffusion Bonding of Aluminum and Copper Films |
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