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| In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变材料的生长与测试 | |
| 作者姓名： | 张学渊 孔梅影 梁基本 段维新 朱战萍 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室 北京 100083 |
| 摘 要： | 利用国产Ⅳ型MBE设备,生长了长周期的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变多量子阱结构,并利用x射线双晶衍射、低温光荧光、光吸收谱等多种实验手段来检验材料的质量。实验结果表明,材料具有优良的结构完整性。 |
| 关 键 词： | 三元化合物半导体 砷化镓 分子束外延 |
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