| 杂质Zn在InP中的扩散机制 |
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| 引用本文： | 赵爱英,叶玉堂,吴云峰,王昱琳,张雪琴,范超,焦世龙. 杂质Zn在InP中的扩散机制[J]. 激光与光电子学进展, 2005, 42(9): 39-42 |
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| 作者姓名： | 赵爱英 叶玉堂 吴云峰 王昱琳 张雪琴 范超 焦世龙 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（60277008）、教育部重点科技项目（03147）、四川省科技厅资助项目（04GG021-020-01）资助课题. |
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| 摘 要： | 介绍了杂质Zn在InP中的两种扩散机制,间隙-替代机制和Kick-out机制.InP为n型时,扩散机制为间隙-替代式;InP为p型时,扩散机制为Kick-out式.重点介绍了三种不同模型,解释Zn在InP中通过间隙-替代机制进行扩散时,空穴浓度与Zn浓度不同的原因,并评价了三种模型.
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| 关 键 词： | InP 间隙-替代机制 Kick-out机制 |
| 收稿时间： | 2005-03-14 |
| 修稿时间： | 2005-03-14 |
Diffusion Mechanism of Impurity Zn in InP |
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| ZHAO Aiying,YE Yutang,Wu Yunfeng,Wang Yulin,Zhang Xueqin,Fan Chao,JIAO Shilong. Diffusion Mechanism of Impurity Zn in InP[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2005, 42(9): 39-42 |
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| Authors: | ZHAO Aiying YE Yutang Wu Yunfeng Wang Yulin Zhang Xueqin Fan Chao JIAO Shilong |
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| Affiliation: | School of Optoelectronic Information, University of Electronic SciEnce and Technology of China, Chengdu 610054 |
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| Abstract: | Two possible mechanisms to describe the conversion of Zn between interstitial and substitutional states the interstitial-substitutional mechanism in n type InP and the Kick-out mechanism in p-type InP are introduced. Three different models which can explain that the free hole concentratiion is not equal to the total zinc concentration in InP which contain Zn are enphasized. Finally, three model are evaluated. |
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| Keywords: | InP interstitial-substitutional mechanism Kick-out mechanism |
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