| 抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs |
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| 引用本文： | 赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤.抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs[J].功能材料与器件学报,2005,11(1):71-74. |
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| 作者姓名： | 赵洪辰 海潮和 韩郑生 钱鹤 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs，使用的主要技术手段有：氮化H2-O2合成栅介质加固正栅；增加体区掺杂，以提高背栅阈值电压；采用H型栅结构，消除边缘寄生晶体管。结果表明，在经受1E6rad(Si)的辐照后，器件特性没有明显恶化。
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| 关 键 词： | SOI 总剂量辐照 氮化H2-O2合成栅介质 H型栅 |
| 文章编号： | 1007-4252(2005)01-0071-04 |
| 修稿时间： | 2004年6月22日 |
Radiation hardened H- gate PD SOI NMOSFETs |
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| ZHAO Hong-chen,HAI Chao-he,HAN Zheng-sheng,QIAN He.Radiation hardened H- gate PD SOI NMOSFETs[J].Journal of Functional Materials and Devices,2005,11(1):71-74. |
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| Authors: | ZHAO Hong-chen HAI Chao-he HAN Zheng-sheng QIAN He |
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| Affiliation: | ZHAO Hong-chen1,2,HAI Chao-he1,HAN Zheng-sheng1,QIAN He1 |
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| Abstract: | Total dose radiation hard NMOSFETs were fabricated on SIMOX substrate. N2O annealed H2-O2 grown dielectric was used to harden the front gate. The body region was doped high to increase the back gate threshold voltage. And a H-gate structure was adopted to eliminate the lateral MOS transistor. The results show that the characteristic of the NMOSFETs does not change much after theradiation of 1E6rad(Si). |
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| Keywords: | SOI total dose radiation N_2O annealed H_2-O_2 grown dielectric H-gate structure |
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