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| GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性 | |
| 引用本文： | 朴海镇 陈辰嘉 郭长志. GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性[J]. 半导体光电, 1999, 0(1): 18 |
| 作者姓名： | 朴海镇 陈辰嘉 郭长志 |
| 作者单位： | ：北京大学，北京 100871 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 半导体激光器 微分量子效率 价带间光吸收 特征温度 |
Characteristics of GaInAs/AlInAsquantum well laser |
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| Abstract: | |
| Keywords: | SemiconductorLaser Differential Quantum Efficiency Intervalence Band Absorption CharacteristicTemperature |