SiC在异质衬底生长金刚石膜的作用分析 |
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作者姓名: | 王必本 王万录 |
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摘 要: | 利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱分析了Si衬底上金刚石膜核化和生长的过程,并着重分析了核化过程产生的SiC的性能。利用划痕法测量了WC衬底上沉积SiC和未沉积SiC时生长金刚石膜的粘附力,同时还分析了WC半底上有和没有SiC沉积层时表面附近金刚石膜的内应力。结果表明,SiC层大大地增强了含碳粒子的聚集和金刚石膜与衬底之间的粘附性,降低了金刚石膜与衬底之间的内应力。
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关 键 词: | 金刚石膜 粘附力 内应力 硅衬底 化学气相沉积 |
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