| 基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计 |
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| 引用本文： | 董夏叶,李鸿强,陈弘达,李恩邦,柳智慧,魏可嘉.基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计[J].激光与光电子学进展,2012(9):67-73. |
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| 作者姓名： | 董夏叶 李鸿强 陈弘达 李恩邦 柳智慧 魏可嘉 |
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| 作者单位： | 天津工业大学电子与信息工程学院;中国科学院半导体研究所;悉尼大学光学系统超高带宽器件中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61177078,60877049);高等学校博士学科点专项科研基金(20101201120001)资助课题 |
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| 摘 要： | 设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器,用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形,多模干涉区尺寸为6μm×57μm。在TE偏振中心波长为1.55μm时,器件附加损耗为0.46dB,不均匀性为0.06dB。在1.49～1.59μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55dB。仿真结果表明所设计的2×2MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀,符合片上集成系统的要求。
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| 关 键 词： | 光学器件 多模干涉 耦合器 绝缘体上硅 损耗 |
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