| SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究 |
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| 引用本文： | 黄平,梁晓琴,杨春.SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究[J].功能材料,2014(20). |
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| 作者姓名： | 黄平 梁晓琴 杨春 |
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| 作者单位： | 1. 四川师范大学 物理与电子工程学院，成都 610068; 四川师范大学 可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室，成都 610068
2. 四川师范大学 可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室,成都,610068 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，四川省科技厅资助项目 |
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| 摘 要： | 建立了SrO/GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN(0001)表面吸附不会发生分解,最稳定吸附位为Ga桥位,吸附能达到7.257~7.264 eV。通过电荷布居数和态密度分析,SrO分子吸附后O与表面的一个Ga原子形成的化学键表现出共价键特征,电子由SrO转移给表面部分Ga原子,GaN(0001)仍存在表面态。
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| 关 键 词： | GaN()表面 SrO分子 密度泛函理论 吸附 |
Theoretical research of SrO adsorption on GaN(0 0 0 1)surface |
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| HUANG Ping,LIANG Xiao-qin,YANG Chun.Theoretical research of SrO adsorption on GaN(0 0 0 1)surface[J].Journal of Functional Materials,2014(20). |
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| Authors: | HUANG Ping LIANG Xiao-qin YANG Chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN (0001)surface SrO DFT adsorption |
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