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| HgCdTe光伏器件反常I—V特性分析 | |
| 引用本文： | 曾戈虹,孙娟.HgCdTe光伏器件反常I—V特性分析[J].红外技术,1996,18(6):1-3. |
| 作者姓名： | 曾戈虹 孙娟 |
| 摘 要： | 对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。 |
| 关 键 词： | 光伏器件 寄生p－n结 伏安特性 |
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