首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

SiO_2-C-N_2-O_2系统合成SiC反应机理的研究
引用本文:李晓池,王晓刚,郭晓滨. SiO_2-C-N_2-O_2系统合成SiC反应机理的研究[J]. 硅酸盐学报, 2003, 0(1)
作者姓名:李晓池  王晓刚  郭晓滨
作者单位:西安科技学院材料工程系 西安710054(李晓池,王晓刚),西安科技学院材料工程系 西安710054(郭晓滨)
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 1740 46)
摘    要:在实验室使用工业原料石英砂和无烟煤 ,于 135 0 ,14 5 0 ,15 5 0℃合成了 β-SiC。通过X射线衍射法并结合热力学理论计算 ,研究温度在 160 0℃以下SiO2 -C -N2 -O2 系统的主要化学反应过程。认为该系统合成SiC的反应机理是 :反应过程主要分 3个阶段 ,反应初期以气相反应为主 ,主要反应式为SiO 2C =SiC CO ;反应中、后期以固相反应为主 ,主要反应式为SiO2 3C =SiC 2CO ,其反应中间过程为 :Si2 N2 O O2 =SiO2 SiO N2 和 3SiO 3C 2N2 =Si3N4 3CO。

关 键 词:碳化硅  反应机理  中间过程

STUDY OF SYNTHESIZING REACTION MECHANISM ON SiC WITH SiO_2-C-N_2-O_2 SYSTEM
LI Xiaochi,WANG Xiaogang,GUO Xiaobin. STUDY OF SYNTHESIZING REACTION MECHANISM ON SiC WITH SiO_2-C-N_2-O_2 SYSTEM[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2003, 0(1)
Authors:LI Xiaochi  WANG Xiaogang  GUO Xiaobin
Abstract:
Keywords:carborundum  reaction mechanism  intermediate process  
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号