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| 高剂量注入中离子溅射的影响 | |
| 引用本文： | 张通和.高剂量注入中离子溅射的影响[J].核技术,1987(2). |
| 作者姓名： | 张通和 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 在离子注入材料改性的研究过程中(金属、绝缘材料和光学材料等),在许多场合下,要求注入的元素(如Fe中注入N、Y、Ph和Sn等)在靶子中占百分之几的含量,这就要求注入剂量高达10~(17)/cm~2到10~(12)/cm~2。由于离子注入的溅射效应在低能和大剂量注入中是相当明显的,因此,对这些元素高剂量注入后的杂质分布、溅射系数、溅射厚度和靶子中杂质的收集量做一分析是十分重要的。 |
| 关 键 词： | 高剂量注入 离子溅射 溅射量 饱和表面浓度 |
The effects of ion sputtering in high dose implantation |
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| Zhang Tonghe.The effects of ion sputtering in high dose implantation[J].Nuclear Techniques,1987(2). | |
| Authors: | Zhang Tonghe |
| Abstract: | |
| Keywords: | implantation of high dose ion sputtering amount of sputtering surface satuation concentration |
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