| 光伏法研究掺金硅特性 |
| |
| 引用本文： | 朱文章,沈顗华,刘士毅.光伏法研究掺金硅特性[J].电子学报,1995,23(2):44-48. |
| |
| 作者姓名： | 朱文章 沈顗华 刘士毅 |
| |
| 作者单位： | 厦门集美航海学院物理室，厦门大学物理系 |
| |
| 摘 要： | 本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０~（１２）～６．６２×１０~（１５）ｃｍ~（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。
|
| 关 键 词： | 掺金硅 少子寿命 光伏 深能级 |
Study on Properties of Au-Doped Silicon by Photovoltaic Method |
| |
| Zhu Wenzhang.Study on Properties of Au-Doped Silicon by Photovoltaic Method[J].Acta Electronica Sinica,1995,23(2):44-48. |
| |
| Authors: | Zhu Wenzhang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Au-doped silicon Minority carrier lifetime Photovoltage Deep level |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
