| 4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型 |
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| 引用本文： | 吕红亮,张义门,张玉明. 4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型[J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 2003, 30(6): 771-775 |
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| 作者姓名： | 吕红亮 张义门 张玉明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安 710071，陕西西安 710071，陕西西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家部委重点资助项目(41308060107) |
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| 摘 要： | 基于4H-SiC材料参数，同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，建立了一套新型击穿解析模型．模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制，能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响．利用这一模型计算得到4H-SiC微波功率MESFET极限功率特性．采用MNlTAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好．
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| 关 键 词： | 4H-SiC 雪崩碰撞 带间隧穿 击穿特性 最大功率密度 碳化硅器件 |
| 文章编号： | 1001-2400(2003)06-0771-04 |
| 修稿时间： | 2002-12-16 |
A new analytical model for the breakdown characteristic of 4H-SiC devices |
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| Authors. A new analytical model for the breakdown characteristic of 4H-SiC devices[J]. Journal of Xidian University, 2003, 30(6): 771-775 |
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| Authors: | Authors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide avalanche breakdown tunnel analytical model maximum power density |
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