| Mo基底的粗糙度对C轴择优取向AlN的影响 |
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| 引用本文： | 柯盼,彭赏,郑赫,贾双凤,王建波. Mo基底的粗糙度对C轴择优取向AlN的影响[J]. 电子显微学报, 2016, 0(4): 17-22. DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2016.04.004 |
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| 作者姓名： | 柯盼 彭赏 郑赫 贾双凤 王建波 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院，电子显微镜中心，人工微结构教育部重点实验室和高等研究院，湖北 武汉430072 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划973项目( No．2011CB933300)；国家自然科学基金资助项目( No．51271134， No． J1210061， No．51501132)；中央高校基本科研业务费专项基金；高等学校仪器设备和优质资源共享系统(CERS－1－26)；中国博士后科学基金项目资助(No．2014T70734)． |
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| 摘 要： | 通过物理气相沉积的方法制备出Si／非晶／Mo／AlN多层膜器件，利用透射电子显微学方法研究了截面样品和AlN薄膜平面样品，确定了AlN和 Mo的界面形态和生长方式。研究表明二者取向关系为[2110] AlN／／[111]Mo，（0002）AlN／／（110）Mo，且Mo表面的粗糙程度对AlN的生长有影响，因此本文为改进器件性能提供了参考方向。
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| 关 键 词： | 取向关系 AlN 透射电子显微学 柱状晶 |
Effect of substrate roughness on C-oriented AlN thin films |
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| Abstract: | Four?layer Si/amorphous/Mo/AlN device was made by Physical Vapor Deposition. The interface morphology of Mo/AlN and the growth model was identified by using the transmission electron microscopy. The results show that the local epitaxial orientation relationships between AlN and Mo are [ 21 10 ] AlN//[ 1 11 ] Mo and ( 0002 ) AlN//( 110 ) Mo . The coarse surface of Mo is bad for C?oriented AlN thin films. This research can serve as a guidance for improving the performance of the device. |
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| Keywords: | orientation relationship AlN transmission electron microscopy columnar grains |
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