| 新型电流微调CMOS带隙基准源的设计 |
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| 引用本文： | 吴日新,戴庆元,谢芳.新型电流微调CMOS带隙基准源的设计[J].半导体技术,2009,34(9). |
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| 作者姓名： | 吴日新 戴庆元 谢芳 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200240;上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200240;上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200240 |
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| 摘 要： | 介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。
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| 关 键 词： | CMOS带隙基准 电流微调 关断模式 |
Design of Novel Current Trimming CMOS Bandgap Reference |
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| Wu Rixin,Dai Qingyuan,Xie Fang.Design of Novel Current Trimming CMOS Bandgap Reference[J].Semiconductor Technology,2009,34(9). |
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| Authors: | Wu Rixin Dai Qingyuan Xie Fang |
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| Affiliation: | National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology;Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication Technology of Ministry of Education;Research Institute of Micro/Nano Science and Technology;Shanghai Jiao Tong University;Shanghai 200240;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS bandgap reference current trimming shutdown mode |
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