| 离子注入制备SixMn1-x稀磁半导体的X射线衍射 |
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| 引用本文： | 彭国良,李铁成,张文勇,彭挺,艾志伟,郭立平,何庆,文闻. 离子注入制备SixMn1-x稀磁半导体的X射线衍射[J]. 核技术, 2010, 33(6) |
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| 作者姓名： | 彭国良 李铁成 张文勇 彭挺 艾志伟 郭立平 何庆 文闻 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室,武汉,430072;中国科学院上海应用物理研究所,上海,201204 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家基础科学人才培养基金项目 |
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| 摘 要： | 把1×1016/cm2的200 kev Mn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体.用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀.间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 离子注入 X射线衍射 |
XRD study on SixMn1-x diluted magnetic semiconductors prepared by ion implantation |
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| PENG Guoliang,LI Tiecheng,ZHANG Wenyong,PENG Ting,AI Zhiwei,GUO Liping,HE Qing,WENWen. XRD study on SixMn1-x diluted magnetic semiconductors prepared by ion implantation[J]. Nuclear Techniques, 2010, 33(6) |
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| Authors: | PENG Guoliang LI Tiecheng ZHANG Wenyong PENG Ting AI Zhiwei GUO Liping HE Qing WENWen |
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