| 铁电薄膜中的电畴研究进展 |
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| 引用本文： | 符春林,杨传仁,陈宏伟,王迎新,胡立业.铁电薄膜中的电畴研究进展[J].材料导报,2004,18(10):68-72. |
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| 作者姓名： | 符春林 杨传仁 陈宏伟 王迎新 胡立业 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 铁电薄膜是一类重要的功能材料,铁电畴是其物理基础.综述了铁电薄膜中电畴的表征方法(高分辨透射电镜、扫描力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱等)、类型(c畴和a畴、180°畴和90°畴等)、临界尺寸(单畴临界尺寸和铁电临界尺寸)等方面的研究进展,提出了研究中需要解决的一些问题.
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| 关 键 词： | 电畴 铁电薄膜 临界尺寸 表征方法 |
Latest Progress on Domains in Ferroelectric Thin Films |
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| FU Chunlin YANG Chuanren CHEN Hongwei WANG Yingxin HU Liye.Latest Progress on Domains in Ferroelectric Thin Films[J].Materials Review,2004,18(10):68-72. |
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| Authors: | FU Chunlin YANG Chuanren CHEN Hongwei WANG Yingxin HU Liye |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ferroelectric domain ferroelectric thin film critical size charaterization |
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