| MOCVD法制备ZnO同质发光二极管 |
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| 引用本文： | 叶志镇,徐伟中,曾昱嘉,江柳,赵炳辉,朱丽萍,吕建国,黄靖云,汪雷,李先杭.MOCVD法制备ZnO同质发光二极管[J].半导体学报,2005,26(11):2264-2266. |
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| 作者姓名： | 叶志镇 徐伟中 曾昱嘉 江柳 赵炳辉 朱丽萍 吕建国 黄靖云 汪雷 李先杭 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310028;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310029;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310030;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310031;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310032;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310033;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310034;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310035;浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310036 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院资助项目
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香港-大陆两地基金 |
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| 摘 要： | 在n型ZnO体单晶片上, 首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
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| 关 键 词： | ZnO LED p型掺杂 金属有机化学气相沉积 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2264-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-10 |
| 修稿时间： | 2005年10月10日 |
Fabrication of ZnO Light-Emitting Diode by Using MOCVD Method |
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| Ye Zhizhen,Xu Weizhong,Zeng Yujia,Jiang Liu,Zhao Binghui,Zhu Liping,Huang Jingyun,Wang Lei,Li Xianhang.Fabrication of ZnO Light-Emitting Diode by Using MOCVD Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2264-2266. |
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| Authors: | Ye Zhizhen Xu Weizhong Zeng Yujia Jiang Liu Zhao Binghui Zhu Liping Huang Jingyun Wang Lei Li Xianhang |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310028,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310029,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310030,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310031,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310032,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310033,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310034,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310035,China;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310036,China |
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| Abstract: | p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).A ZnO homostructural light-emitting diode is fabricated by growing p-type ZnO epi-layer on n-type bulk ZnO wafer. The room temperature electroluminescence spectrum from violet to green regions is observed while the ZnO-LED is supplied with a DC voltage. |
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| Keywords: | ZnO LED p-type doping metalorganic chemical vapor deposition |
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