| 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计 |
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| 引用本文： | 马丁,乔辉,刘福浩,张燕,李向阳. 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计[J]. 半导体光电, 2018, 39(4): 502-505,510 |
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| 作者姓名： | 马丁 乔辉 刘福浩 张燕 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院大学研究生院,北京215123;中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61774162)； |
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| 摘 要： | 分析了MOS器件的辐照特性及辐照失效机理。基于Global Foundries 0.35μm CMOS工艺,设计了一款320×256抗辐照加固紫外焦平面读出电路。该电路数字部分MOS管采用环形栅和双环保护进行加固,并在读出电路表面交替生长了SiO2-Si3N4复合钝化层。对加固后的读出电路进行了γ辐照试验,并使用示波器实时监测读出电路的输出状态。对比加固前后的读出电路实时辐照状态表明,加固后的读出电路抗辐照性能得到了明显提高,其抗电离辐照总剂量由35krad(Si)提升至50krad(Si)。
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| 关 键 词： | 紫外焦平面 读出电路 抗辐照 电离辐照 |
| 收稿时间： | 2018-02-26 |
Radiation-Hardened Design for Ultraviolet Focal Plane Array Readout Integrated Circuit |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UVFPA readoutcircuit radiation hardening ionizing irradiation |
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