| 退火温度对ZnO纳米线阵列形貌、结构和光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 殷磊,丁和胜,袁兆林,任亚杰,张鹏超,邓建平. 退火温度对ZnO纳米线阵列形貌、结构和光学特性的影响[J]. 光电子．激光, 2018, 29(4): 370-376 |
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| 作者姓名： | 殷磊 丁和胜 袁兆林 任亚杰 张鹏超 邓建平 |
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| 作者单位： | 陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 陕西省工 业自动化重点实验室,陕西 汉中 723001,陕西理工大学 陕西省工 业自动化重点实验室,陕西 汉中 723001 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学基金(2017JM6090)和陕西省教育厅自然科学基金(16JK1135)资助项目 (1.陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001； 2.陕西理工大学 陕西省工 业自动化重点实验室,陕西 汉中 723001) |
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| 摘 要： | 为获得高质量的良好取向和低成本的ZnO纳米 线阵列,利用化学浴沉积法,在石英玻 璃基底上制备ZnO纳米线阵列,在Ar气气氛中对ZnO纳米线阵列分别进行400和800℃的退火 1h处理,利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度 计和荧光光谱仪 分别研究了它们的形貌、晶相结构和光学特性。结果显示,退火处理后,ZnO纳米线平均直 径有所增加, ℃退火后,相邻ZnO纳米线产生粘结。随着退火温度增加,Z nO纳米线阵列的结晶质量逐渐提高,退 火至600℃时,其结晶质量最佳；在可见光区的光学透过率和光学带 宽随退火温度增加而下降。未退 火和退火400℃的ZnO纳米线阵列,仅在390n m波长处附近出现一个很弱的近带边发射峰, 当退火温度在600℃以上时,近带边发射峰迅速增强,并出现一个较 弱绿色发光带。
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| 关 键 词： | ZnO纳米线阵列 化学浴沉积法 退火温度 光致发光(PL) |
| 收稿时间： | 2017-08-26 |
Effects of annealing temperature on morphology,structure and optical properties of well-aligned ZnO nanowire arrays |
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| YIN Lei,DING He-sheng,YUAN Zhao-lin,REN Ya-jie,ZHANG Pen g-chao and DENG Jian-ping. Effects of annealing temperature on morphology,structure and optical properties of well-aligned ZnO nanowire arrays[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2018, 29(4): 370-376 |
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| Authors: | YIN Lei DING He-sheng YUAN Zhao-lin REN Ya-jie ZHANG Pen g-chao DENG Jian-ping |
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| Affiliation: | School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,School of Physics and Telecommunication Engineering,Shaanxi University of T echnology,Hanzhong 723001,China,Shaanxi Key Laboratory of Industrial Automati on,Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723001,China and Shaanxi Key Laboratory of Industrial Automati on,Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723001,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanowire arrays chemical bath deposition annealing temperature photolumin escence (PL) |
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