中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器 |
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作者姓名: | 何玮 李平 邵秀梅 曹高奇 于一榛 张亚光 邓双燕 杨波 李雪 李淘 龚海梅 |
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作者单位: | 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,复旦大学,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目) |
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摘 要: | 采用ICP (inductively coupled plasma etching) 刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式, 研制了像元中心距为10μm、截止波长2. 6μm的p-i-n型10×10元延伸波长In Ga As探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析, 显示了器件优异的暗电流特性.在室温下, -10 mV偏压时器件的暗电流和优质因子R0A分别为0. 45 nA和14. 7Ω·cm2, 量子效率可达到63%.为了证实像元中心距减小并未影响器件性能, 与同种材料中心距30μm的InGaAs焦平面阵列进行了对比分析.相似的实验结果进一步证明了工艺的可行性, 对今后实现高密度、大面阵延伸波长InGaAs探测器具有重要的指导意义.
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关 键 词: | 延伸波长,InGaAs探测器,小像元,暗电流密度,量子效率 |
收稿时间: | 2018-01-31 |
修稿时间: | 2018-09-28 |
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