| InP基HEMTs器件16参数小信号模型 |
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| 引用本文： | 钟英辉,李凯凯,李梦珂,王文斌,孙树祥,李慧龙,丁鹏,金智.InP基HEMTs器件16参数小信号模型[J].红外与毫米波学报,2018,37(2):163-167. |
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| 作者姓名： | 钟英辉 李凯凯 李梦珂 王文斌 孙树祥 李慧龙 丁鹏 金智 |
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| 作者单位： | 郑州大学 物理工程学院,郑州大学物理工程学院,郑州大学 物理工程学院,郑州大学 物理工程学院,郑州大学 物理工程学院,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 |
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| 摘 要： | 针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
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| 关 键 词： | InP基高电子迁移率晶体管 小信号模型 栅泄漏电流 漏端延时 |
| 收稿时间： | 2017/9/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/10/28 0:00:00 |
An improved 16-element small-signal model for InP-based HEMTs |
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| ZHONG Ying-Hui,LI Kai-Kai,LI Meng-Ke,WANG Wen-Bin,SUN Shu-Xiang,LI Hui-Long,DING Peng and JIN Zhi.An improved 16-element small-signal model for InP-based HEMTs[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2018,37(2):163-167. |
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| Authors: | ZHONG Ying-Hui LI Kai-Kai LI Meng-Ke WANG Wen-Bin SUN Shu-Xiang LI Hui-Long DING Peng and JIN Zhi |
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| Affiliation: | School of Physical Engineering, Zhengzhou University,School of Physics and Engineering, Zhengzhou University,School of Physics and Engineering, Zhengzhou University,School of Physics and Engineering, Zhengzhou University,School of Physics and Engineering, Zhengzhou University,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences and Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InP-based HEMTs small-signal model gate-leakage current drain delay |
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