首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

大气压介质阻挡放电等离子体辅助原子层沉积氧化铝阻隔膜
引用本文:魏海英,郭红革,秦莹莹,周美丽,陈强.大气压介质阻挡放电等离子体辅助原子层沉积氧化铝阻隔膜[J].材料导报,2018,32(Z2):311-314.
作者姓名:魏海英  郭红革  秦莹莹  周美丽  陈强
作者单位:齐鲁工业大学印刷与包装工程学院,济南 250353;山东工艺美术学院视觉传达设计学院,济南 250353,齐鲁工业大学印刷与包装工程学院,济南 250353,齐鲁工业大学印刷与包装工程学院,济南 250353,山东工艺美术学院视觉传达设计学院,济南 250353,北京印刷学院印刷与包装工程学院,北京 102600
基金项目:魏海英:女,1990年生,硕士研究生,主要研究方向为包装材料 E-mail:hywei2011@163.com 郭红革:通信作者,女,1969年生,副教授,主要研究方向为高分子结构与性能 E-mail:ghg@qlu.edu.cn 陈强:男,1963年生,教授,主要研究方向为等离子体物理及材料 E-mail:LPPMchenqiang@hotmail.com
摘    要:为了研究纳米氧化铝对双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(BOPET)阻隔性能的影响,利用自行设计加工的大气压介质阻挡放电(DBD)等离子辅助原子层沉积(PAALD)设备,使用三甲基铝(TMA)和氧气等离子体(O2)在厚度为120 μm的BOPET上生长氧化铝(Al2O3)无机层。采用椭圆偏振仪、原子力显微镜、红外光谱仪、X射线光电子能谱分析和透湿仪等分别对氧化铝薄膜的厚度、表面形貌、成分和水蒸气透过率等进行测量和表征。结果表明,大气压DBD等离子体辅助沉积 Al2O3薄膜具有ALD生长特性,生长速率为0.27 nm/周期,高于在低压下由等离子体辅助ALD沉积的Al2O3的生长速率;生长的氧化铝薄膜结构致密、表面粗糙度小,薄膜成分较纯;其水蒸气透过率(WVTR)由PET原膜的3.17 g/(m2·d)低至0.05 g/(m2·d)。

关 键 词:原子层沉积  聚对苯二甲酸乙二醇酯  氧化铝  水蒸气透过率

Deposition of Al2O3 Barrier Film by the Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharge Plasma Enhanced ALD
WEI Haiying,GUO Hongge,QIN Yingying,ZHOU Meili and CHEN Qiang.Deposition of Al2O3 Barrier Film by the Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharge Plasma Enhanced ALD[J].Materials Review,2018,32(Z2):311-314.
Authors:WEI Haiying  GUO Hongge  QIN Yingying  ZHOU Meili and CHEN Qiang
Affiliation:School of Printing and Packaging Engineer, Qilu University of Technology, Jinan 250353;School of Visual Communication Design, Shandong University of Art & Design,Jinan 250353,School of Printing and Packaging Engineer, Qilu University of Technology, Jinan 250353,School of Printing and Packaging Engineer, Qilu University of Technology, Jinan 250353,School of Visual Communication Design, Shandong University of Art & Design,Jinan 250353 and School of Printing and Packaging Engineer, Beijing Institute of Graphic Communication, Beijing 102600
Abstract:
Keywords:atomic layer deposition  polyethylene terephthalate  alumina  water vapor transmission rate
点击此处可从《材料导报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《材料导报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号