| 940nm大功率半导体激光器后工艺优化 |
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| 引用本文： | 王海阔,李建军,王元诚,王梦欢,袁泽旭.940nm大功率半导体激光器后工艺优化[J].半导体光电,2018,39(5):612-615,622. |
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| 作者姓名： | 王海阔 李建军 王元诚 王梦欢 袁泽旭 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 教育部重点实验室基金;北京市教委能力提升项目;教师队伍建设15青年拔尖项目;国家科技重大专项;国家科技重大专项 |
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| 摘 要： | 波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 大功率 侧向电流扩展 隔离沟道 |
| 收稿时间： | 2018/4/20 0:00:00 |
Process Optimization of 940nm High Power Semiconductor Laser |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor lasers high power lateral current expansion isolation trench |
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