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| 硅烷外延淀积多晶硅 | |
| 引用本文： | 张秦生,周鸣新.硅烷外延淀积多晶硅[J].半导体技术,1989(3):42-47. |
| 作者姓名： | 张秦生 周鸣新 |
| 作者单位： | 国营七四九厂 (张秦生)，国营七四九厂(周鸣新) |
| 摘 要： | SiH_4-H_2-HCl系统用于淀积多晶硅膜,有着SiCl_4外延无法比拟的优越性,其生长温度最佳值在1050℃,生长速度从实验趋势上来看远远超过了SiCl_4外延.外延质量也比SiCl_4外延好.所以,在一些特殊器件的制造中采用本系统是完全必要的. |
| 关 键 词： | 硅烷 外延淀积 多晶硅 |
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