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Bi4Ti3O12取向陶瓷的铁电和介电性能
引用本文:毛翔宇,陈小兵. Bi4Ti3O12取向陶瓷的铁电和介电性能[J]. 硅酸盐学报, 2004, 32(11): 1330-1334
作者姓名:毛翔宇  陈小兵
作者单位:扬州大学物理科学与技术学院,江苏,扬州,225002;扬州大学物理科学与技术学院,江苏,扬州,225002
基金项目:国家自然科学基金(10274066)和江苏省教育厅自然科学基金(01KJB140011)资助项目.
摘    要:用固相烧结工艺,制备了择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)多晶陶瓷样品,沿着与样品轴线垂直和平行的方向切割制成测量样品A和样品B。样品A和样品B分别具有C择优取向和a/(b)择优取向,样品A的c取向率为87.4%。在测量电场强度为125kV/cm时,样品A和样品B的剩余极化(2Pr)分别为5.8μC/cm^2和41.2μC/cm^2,样品A的漏电流和介电损耗小于样品B,样品A介电耗损峰对应的温度高于样品B,在测量频率为1MHz时,分别为663℃和658℃。

关 键 词:钛酸铋  择优取向  剩余极化  介电损耗
文章编号:0454-5648(2004)11-1330-05
修稿时间:2004-01-30

FERROELECTRIC AND DIELECTRIC PROPERTIES OF Bi4Ti3O12 CERAMICS WITH GRAIN ORIENTATION
MAO Xiangyu,CHEN Xiaobing. FERROELECTRIC AND DIELECTRIC PROPERTIES OF Bi4Ti3O12 CERAMICS WITH GRAIN ORIENTATION[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2004, 32(11): 1330-1334
Authors:MAO Xiangyu  CHEN Xiaobing
Abstract:
Keywords:bismuth titanate  grain orientation  remnant polarization  dielectric loss
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