|
|||||
|
|
| 256M/1G DRAM工艺及前道制造设备 | |
| 引用本文： | 翁寿松.256M/1G DRAM工艺及前道制造设备[J].电子工业专用设备,1997,26(2):12-18. |
| 作者姓名： | 翁寿松 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂 |
| 摘 要： | 介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ产品技术指标、工艺及前道制造设备，包括光刻机、腐蚀设备、离子注入设备、热处理设备、溅射及金属ＣＶＤ设备和绝缘膜ＣＶＤ设备等 |
| 关 键 词： | 256M／1GDRAM 工艺 设备 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |