流体静压下研究电场畴的形成机制 |
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引用本文: | 孙宝权,刘振兴,江德生.流体静压下研究电场畴的形成机制[J].半导体学报,1997,18(7):554-557. |
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作者姓名: | 孙宝权 刘振兴 江德生 |
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作者单位: | [1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院物理研究所 |
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摘 要: | 本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AIAs超晶格中电场畴的形成机制.对于第一个电流类平台区域,我们观察到两种级联共振隧穿过程,即当p≤2kbar时,高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程,而当p>2kbar时,高场畴为Γ-X级联共振隧穿过程.对于第二个电流类平台区域,高场畴常压下为Γ-X级联共振隧穿.
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关 键 词: | 电场畴 流体静压 半导体超晶格 形成机制 |
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