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| 流体静压下研究电场畴的形成机制 | |
| 引用本文： | 孙宝权,刘振兴,江德生.流体静压下研究电场畴的形成机制[J].半导体学报,1997,18(7):554-557. |
| 作者姓名： | 孙宝权 刘振兴 江德生 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs／AIAs超晶格中电场畴的形成机制．对于第一个电流类平台区域，我们观察到两种级联共振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程，而当p＞2kbar时，高场畴为Γ－X级联共振隧穿过程．对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Γ－X级联共振隧穿． |
| 关 键 词： | 电场畴 流体静压 半导体超晶格 形成机制 |
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