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| PTCR型（Sr,Pb）TiO3陶瓷材料的半导化研究 | |
| 引用本文： | 王德君,郭或淳.PTCR型（Sr,Pb）TiO3陶瓷材料的半导化研究[J].压电与声光,1997,19(5):346-350. |
| 作者姓名： | 王德君 郭或淳 |
| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系 |
| 摘 要： | 研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。 |
| 关 键 词： | 钛酸锶铅，正温度系数热敏电阻，半导化，掺杂剂，添加剂 |
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