| 化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷 |
| |
| 引用本文： | 王德君,桂治轮.化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷[J].压电与声光,1997,19(4):269-272. |
| |
| 作者姓名： | 王德君 桂治轮 |
| |
| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系 |
| |
| 摘 要： | 采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。
|
| 关 键 词： | 钛酸锶铅，化学共沉淀法，正温度系数热敏电阻，居里温度，晶格常数 |
Preparing Li 2B 4O 7 Thin Film by Sol Gel Method |
| |
| Wu Lijun,Zhou Yadong.Preparing Li 2B 4O 7 Thin Film by Sol Gel Method[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,1997,19(4):269-272. |
| |
| Authors: | Wu Lijun Zhou Yadong |
| |
| Abstract: | The Li 2B 4O 7 thin film has been prepared by Sol Gel method.The research on this process was carried out, and the effects of the main parameters were discussed. |
| |
| Keywords: | Sol Gel method Li 2B 4O 7 thin film |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
