| 氧化锆材料的掺杂机理探讨 |
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| 引用本文： | 唐辉,林振汉,王欣,张强. 氧化锆材料的掺杂机理探讨[J]. 中国材料进展, 2007, 26(1) |
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| 作者姓名： | 唐辉 林振汉 王欣 张强 |
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| 作者单位： | 上海大学,上海,200072 |
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| 摘 要： | 氧化锆基陶瓷材料具有良好的物理性能和化学性能,在很多高新技术产业方面得到广泛的应用.但纯氧化锆与氧化锆陶瓷随温度的升高产生由单料→四方→立方的转变,这种相结构的变化导致性能不稳定,并伴随着体积发生变化使材料遭到破坏.作者综述了近年来对氧化锆掺杂稳定机理的研究,主要包括:低价阳离子掺杂机理,同价阳离子掺杂机理和多相掺杂机理.其中心思想认为空穴是影响氧化锆结构稳定性的最重要因素.并着重叙述了不同价态对结构稳定性的影响.
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| 关 键 词： | 氧化锆 陶瓷 掺杂 缺陷 空位 |
Discussion of the Mechanism of Doped Zirconia |
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| Tang Hui,Lin Zhenhan,Wang Xin,Zhang Qiang. Discussion of the Mechanism of Doped Zirconia[J]. Rare Metals Letters, 2007, 26(1) |
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| Authors: | Tang Hui Lin Zhenhan Wang Xin Zhang Qiang |
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