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| 1．8GHz下功率密度为2．8W／mm的4H－SiC MES FET | |
| 引用本文： | 曲兰欣.1．8GHz下功率密度为2．8W／mm的4H－SiC MES FET[J].固体电子学研究与进展,1995(4). |
| 作者姓名： | 曲兰欣 |
| 摘 要： | １．８ＧＨｚ下功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ的４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．Ｌ．》第１５卷第１０期报道，ＣｈａｒｌｅｓＥ．Ｗｅｉｔｚｅｌ等已研制成一种４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ。采用４Ｈ－ＳｉＣ是由于它比６Ｈ－ＳｉＣ高出两倍的电子迁移率。器件的... |
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