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N^+离子注入TiNi形状记忆合金的微观表面分析
引用本文:封向东,王治国,祖小涛,戴晶怡.N^+离子注入TiNi形状记忆合金的微观表面分析[J].稀有金属材料与工程,2003,32(4):309-312.
作者姓名:封向东  王治国  祖小涛  戴晶怡
作者单位:1. 四川大学,四川,成都,610064
2. 四川大学,四川,成都,610064;电子科技大学应用物理系,四川,成都,610054
3. 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川,绵阳,621907
基金项目:国家自然科学基金资助项目(10175042)
摘    要:对TiNi形状记忆合金N+离子注入后进行了XRD分析以及XPS分析.N+离子注入的能量为75keV,束流为16.3μA/cm2,注量分别为3×1017N+cm-2和8×1017N+cm-2,注入过程中温度低于200℃.XRD和XPS分析结果都表明N+离子注入试样后以TiN的形式存在;且由于离子注入时的真空度较低,在注入层的表面也形成了少量的TiO2;由于Ni的溅射系数比Ti的大,在试样XPS宽程扫描图中,没有出现Ni的信号.

关 键 词:离子注入  TiNi形状记忆合金  微观表面分析  XRD  XPS
文章编号:1002-185X(2003)04-0309-04
修稿时间:2001年7月13日

Micro- analysis of N+ Ion- implanted TiNi Shape Memory Alloy
Feng Xiangdong,Wang Zhiguo,Zu Xiaotao,Dai Jinyi.Micro- analysis of N+ Ion- implanted TiNi Shape Memory Alloy[J].Rare Metal Materials and Engineering,2003,32(4):309-312.
Authors:Feng Xiangdong  Wang Zhiguo  Zu Xiaotao  Dai Jinyi
Abstract:
Keywords:TiNi shape memory alloy  N    +    ion implantation  TiN
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