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| PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究 | |
| 引用本文： | 王柏青,张克云.PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究[J].功能材料,1994,25(5):412-415. |
| 作者姓名： | 王柏青 张克云 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系 |
| 摘 要： | 研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。 |
| 关 键 词： | 碳氮化硅薄膜 淀积工艺 钝化模 集成电路 PECVD |
The Study on PECVD Process and the Characteristics of SiCxNy:H Film |
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| Wang Baiqing,Zhang Keyun,Bao Zhongming,Wang Huanjie,Wang Jitao.The Study on PECVD Process and the Characteristics of SiCxNy:H Film[J].Journal of Functional Materials,1994,25(5):412-415. | |
| Authors: | Wang Baiqing Zhang Keyun Bao Zhongming Wang Huanjie Wang Jitao |
| Abstract: | |
| Keywords: | new passivation film SiCxNy:Hfilm parameters of the process |
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