| 射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理 |
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| 引用本文： | 李世涛,乔学亮,陈建国. 射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理[J]. 中国有色金属学报, 2006, 16(4): 688-693 |
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| 作者姓名： | 李世涛 乔学亮 陈建国 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国防预研基金;华中科技大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 将In2O3和SnO2粉末按质量比1：1热压烧结制成靶材，采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜。实验结果表明：氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVITL有着重要的影响，其最佳值为0．2Pa。ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系。提高基体温度ts可以改善薄膜的性能，在ts为200℃时，ITO薄膜的1k达到90％以上（含玻璃基体），方阻为13．1Ω／□。根据薄膜生长的3个阶段理论，建立了薄膜厚度与电阻率的关系：在ITO薄膜生长过程中，依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理。由实验结果求得了临界厚度吐约为48-54nm，AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应。
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| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 氩气压强 基体温度 导电机理 |
| 文章编号： | 1004-0609（2006）04-0688-06 |
| 收稿时间： | 2005-08-08 |
| 修稿时间： | 2005-12-14 |
Properties and conductivity mechanism of ITO films prepared by r.f. magnetron sputtering |
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| LI Shi-tao,QIAO Xue-liang,CHEN Jian-guo. Properties and conductivity mechanism of ITO films prepared by r.f. magnetron sputtering[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2006, 16(4): 688-693 |
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| Authors: | LI Shi-tao QIAO Xue-liang CHEN Jian-guo |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Die and Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO thin film magnetron sputtering argon partial pressure substrate temperature conductivity mechanism |
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