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FeZrBCu射频溅射薄膜磁导率和巨磁阻抗效应的研究
引用本文:陈卫平,萧淑琴,冯尚申,刘宜华.FeZrBCu射频溅射薄膜磁导率和巨磁阻抗效应的研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(4):273-277.
作者姓名:陈卫平  萧淑琴  冯尚申  刘宜华
作者单位:1. 浙江台州学院物理系,临海,317000;山东大学物理与微电子学院,济南,250100
2. 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
3. 浙江台州学院物理系,临海,317000
摘    要:采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe0.88Zr0.07B0.05)97Cu3薄膜样品。X射线衍射结果表明,未经任何后期处理的沉积态薄膜为非晶态结构。在5kHz~13MHz频率范围内,着重研究了沉积态样品的有效磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的变化特性。研究结果表明,样品具有极好的软磁性能和GMI效应,其矫顽力仅为58A/m,饱和磁化强度约为1.15×106A/m,在13MHz的频率下最大巨磁阻抗比达到17%。并发现有效磁导率比随外磁场的变化,在各向异性场仇。0.4kA/m处出现了峰值,GMI效应也在此磁场的位置处出现峰值。这表明GMI效应与磁场诱导的有效磁导率的变化紧密关联。

关 键 词:沉积态薄膜  有效磁导率  巨磁阻抗  磁各向异性
文章编号:1672-7126(2037)04-273-05
修稿时间:2006-10-08

Permeability and Giant Magnetoimpedance of FeZrBCu RF Sputtered Films
Chen Weiping,Xiao Shuqin,Feng Shangshen,Liu Yihua.Permeability and Giant Magnetoimpedance of FeZrBCu RF Sputtered Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2007,27(4):273-277.
Authors:Chen Weiping  Xiao Shuqin  Feng Shangshen  Liu Yihua
Affiliation:1. Department of Physics, Zhejiang Taizhou University, Linhai 317000, China; 2. School of physics and Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China
Abstract:
Keywords:As-deposited film  Effective permeability  Giant magnetoimpedance  Magnetic anisotropy
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