| C基薄膜电子场发射的一般特性及发射模型 |
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| 引用本文： | 刘艳红,李建,马腾才.C基薄膜电子场发射的一般特性及发射模型[J].真空,2004,41(1):16-21. |
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| 作者姓名： | 刘艳红 李建 马腾才 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 介绍了几种碳基材料的场发射特性及其发射模型.金刚石表面具有较低的或负的电子亲和势,因无法实现N型掺杂,难以用作电子发射材料.类金刚石膜及非晶碳膜材料经过"激活"后在表面形成具有较大场增强因子的熔坑,在几～几十V/μm的低阈值电场下得到非本征的电子发射,纳米结构的碳和碳纳米管本身具有较大的场增强因子,是较有前途的平面阴极场发射材料.碳基材料的导电性不同,遵循的发射模型不同.
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| 关 键 词： | 金刚石 电子发射 |
| 文章编号： | 1002-0322(2004)01-0016-06 |
Field emission properties and field emission models of C-based films |
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| LIU Yan-hong,LI Jian,MA Teng-cai lectron beams,Dalian University of Technology,Dalian ,China.Field emission properties and field emission models of C-based films[J].Vacuum,2004,41(1):16-21. |
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| Authors: | LIU Yan-hong LI Jian MA Teng-cai lectron beams Dalian University of Technology Dalian China |
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| Affiliation: | LIU Yan-hong,LI Jian,MA Teng-cai lectron beams,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond electron emission |
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