| 一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型 |
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| 引用本文： | 何进,陶亚东,边伟,刘峰,牛旭东,宋岩.一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型[J].半导体学报,2006,27(z1):242-247. |
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| 作者姓名： | 何进 陶亚东 边伟 刘峰 牛旭东 宋岩 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究院,北京,100871;北京大学深圳研究生院,信息工程学院,深圳,518055;北京大学深圳研究生院,信息工程学院,深圳,518055;北京大学微电子学研究院,北京,100871 |
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| 摘 要： | 提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.
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| 关 键 词： | MOSFETs 器件物理 非传统MOSFET 双栅结构 器件模型 载流子方法 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0242-06 |
| 修稿时间： | 2005年10月11日 |
A Carrier-Based Analytic Model for the Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs |
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| He Jin,Tao Yadong,Bian Wei,Liu Feng,Niu Xudong,Song Yan.A Carrier-Based Analytic Model for the Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):242-247. |
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| Authors: | He Jin Tao Yadong Bian Wei Liu Feng Niu Xudong Song Yan |
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