| TiO2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响 |
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| 引用本文： | 张丛春,周东,龚树萍. TiO2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响[J]. 压电与声光, 2001, 23(3): 195-197 |
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| 作者姓名： | 张丛春 周东 龚树萍 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系, |
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| 摘 要： | 研究了TiO2掺杂量及制备工艺对ZnO压敏电阻性能的影响。TiO2掺压超过一定量时，压敏场强就不再降低，而非线性系数却一直下降，漏流迅速增大，使性能劣化。因此，要控制TiO2掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成的高低也直接影响ZnO压敏电阻性能。
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| 关 键 词： | 低压氧化锌压敏电阻 性能 掺杂 氧化钛 半导体器件 |
| 文章编号： | 1004-2474（2001）03-0195-03 |
| 修稿时间： | 2000-09-18 |
The Effects of TiO2Content and Process on the Electrical Properties in TiO2-doped ZnO Varistors |
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| Cong-chun,ZHOU Dong-xiang,GONG Shu-ping. The Effects of TiO2Content and Process on the Electrical Properties in TiO2-doped ZnO Varistors[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2001, 23(3): 195-197 |
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| Authors: | Cong-chun ZHOU Dong-xiang GONG Shu-ping |
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| Abstract: | The effects of content of TiO2 dopant and process on the microstructure and electrical properties were studied．TiO2 dopant can drastically decrease the breakdown field of the ZnO varistor，but then has little effect on the breakdown field when it surpass 0.3％．Furthmore，the electrical property of ZnO varistor was adjusted by pre-firing temperature and sintering temperature． |
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