| Cu掺杂GaN/ZnO异质结的光学性质 |
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| 引用本文： | 董明慧,赵莲,王梦霞.Cu掺杂GaN/ZnO异质结的光学性质[J].光电子．激光,2020,31(5):494-499. |
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| 作者姓名： | 董明慧 赵莲 王梦霞 |
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| 作者单位： | 齐鲁理工学院,山东 济南 250200,齐鲁理工学院,山东 济南 250200,天津理工大学 功能晶体研究 院,天津 300384 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51802102)和齐鲁理工学院高校科技计划项目(QL19K033)资助项目 (1.齐鲁理工学院,山东 济南 250200； 2.天津理工大学 功能晶体研究 院,天津 300384) |
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| 摘 要： | ZnO/GaN异质结由于错配度小,化学稳定性好, 具有优良的光学、压电和热电效应等 优点,是下一代电子器件的理想材料。但是ZnO/GaN异质结的带隙宽度较宽制约了ZnO/GaN的 应用。为了减小ZnO/GaN异质结的带隙宽度,提高对可见光的吸收,采用第一性原理研究了C u掺杂对ZnO/GaN异质结稳定性、带隙和光学性质的影响。研究结果表明:Cu掺杂ZnO/GaN异 质结的结合能是负值,因此结构稳定,但是Cu位于界面处的结合能要比基体内的小,因此更 容易在界面处形成。Cu置换Ga能够明显的减小带隙的宽度,且在带隙中引入了Cu-3d杂质态 ,有利于可见光的吸收,但是置换Zn后不是很明显。Cu掺杂ZnO/GaN后引起吸收系数产生红 移,且Cu置换Ga后吸收系数在3.2 eV附近处产生明显的吸收峰55377 cm－1。Cu掺杂也使得复 介电常数虚部以及折射率虚部产生红移,说明掺杂有利于可见光的吸收。虽然Cu置换Ga后反 射率有了较大的提升,但是总体仍然维持在较低的水平,因此反射率较低。
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| 关 键 词： | ZnO/GaN异质结 结构稳定性 可见光吸收 第一性原理 折射率 |
| 收稿时间： | 2020/1/2 0:00:00 |
Optical properties of Cu doped ZnO/GaN heterostructure |
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| DONG Ming-hui,ZHAO Lian and WANG Meng-xia.Optical properties of Cu doped ZnO/GaN heterostructure[J].Journal of Optoelectronics·laser,2020,31(5):494-499. |
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| Authors: | DONG Ming-hui ZHAO Lian and WANG Meng-xia |
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| Affiliation: | Qilu Institute of Technology,Jinan 250200,China,Qilu Institute of Technology,Jinan 250200,China and Institute of Function al Crystal Materials,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO/GaN heterostructure structural stability visible light absorption first p rinciple refractive index |
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