| SOI材料片缺陷研究 |
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| 引用本文： | 孙建洁,吴建伟,陈海峰.SOI材料片缺陷研究[J].电子与封装,2012,12(4):34-37. |
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| 作者姓名： | 孙建洁 吴建伟 陈海峰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡,214035 |
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| 摘 要： | SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 缺陷 SIMOX 键合后智能剥离 |
Study on SOI Specific Material Defects |
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| SUN Jian-jie,WU Jian-wei,CHEN Hai-feng.Study on SOI Specific Material Defects[J].Electronics & Packaging,2012,12(4):34-37. |
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| Authors: | SUN Jian-jie WU Jian-wei CHEN Hai-feng |
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| Affiliation: | (China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China) |
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| Abstract: | SOI materials have capacity of radiation tolerant.Introduce process flow of two different type SOI materials（SIMOX and Bonded Smart-Cut）.For SOI special structure： top Si/BOX/substrate,analyze the defect and effect of different SOI materials.Combine theory with practice,SOI materials detection has two types： direct detectable defect;indirect detect of materials features.Apply available method for detect the defect of SOI materials. |
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| Keywords: | SOI defect SIMOX bonded smart-cut |
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