| 新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si制备 |
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| 引用本文： | 王启元,谭利文,王俊,郁元桓,林兰英.新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si制备[J].功能材料与器件学报,2003,9(3):300-304. |
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| 作者姓名： | 王启元 谭利文 王俊 郁元桓 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，TG2000036506， |
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| 摘 要： | 异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜，制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS)，然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜，形成新型硅基双异质SOI材料Si／γ-Al2O3／Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)／γ-Al2O3(100)／Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明，已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结构材料Si(100)／γ-Al2O3(100)／Si(100)，γ-Al2O3与Si外延薄膜均为单晶，γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能，SOI结构界面清晰陡峭，该SOI材料可应用于CMOS电路的研制。
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| 关 键 词： | Si／γ-Al2O3／Si SOI材料 异质外延法 LPCVD APCVD 晶体生长 EOS |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)03-0300-05 |
| 修稿时间： | 2002年12月30 |
Fabrication of novel silicon-based double heteroepitaxial SOI material of Si/γ-Al2O3/Si |
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| WANG Qi- yuan,TAN Li- wen,WANG Jun,YU Yuan- huan,LIN Lan- ying.Fabrication of novel silicon-based double heteroepitaxial SOI material of Si/γ-Al2O3/Si[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(3):300-304. |
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| Authors: | WANG Qi- yuan TAN Li- wen WANG Jun YU Yuan- huan LIN Lan- ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI heteroepitaxial growth Al2O3 silicon |
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