| 直拉法硅单晶生长中断棱与掉苞问题的探讨 |
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| 引用本文： | 董建明,张波,刘进,赵科巍,罗晓斌,赵彩霞. 直拉法硅单晶生长中断棱与掉苞问题的探讨[J]. 材料导报, 2013, 27(Z1): 157-159 |
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| 作者姓名： | 董建明 张波 刘进 赵科巍 罗晓斌 赵彩霞 |
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| 作者单位： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司,长治,046001 |
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| 摘 要： | 在直拉法硅单晶生长过程中,由于位错的产生经常会导致硅棒发生断棱与掉苞现象,严重影响了晶体硅和器件的性能,降低了硅太阳能电池的光电转换效率.为了分析该现象,借助于位错形成的理论,探讨了Φ203mm(100)硅棒发生断棱与掉苞的具体原因及应对措施.影响直拉法单晶硅棒发生断棱与掉苞的因素包括:熔体中过多的杂质,热场、机械传动装置及炉体的不稳定等.
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| 关 键 词： | 直拉法 位错 单晶生长 杂质 热场 |
Investigation on the Growth Problems in CZ-Si Crystal |
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| DONG Jianming,ZHANG Bo,LIU Jin,ZHAO Kewei,LUO Xiaobin,ZHAO Caixia. Investigation on the Growth Problems in CZ-Si Crystal[J]. Materials Review, 2013, 27(Z1): 157-159 |
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| Authors: | DONG Jianming ZHANG Bo LIU Jin ZHAO Kewei LUO Xiaobin ZHAO Caixia |
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| Affiliation: | (Shanxi Lu’An Photovoltaics Technology Co.,Ltd.,Changzhi 046001) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Czochralski method (CZ) dislocation crystal growth impurity thermal field |
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