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| 基于0.5μm CMOS工艺的高压器件 | |
| 作者姓名： | 赵文彬 李蕾蕾 于宗光 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071；中国电子科技集团公司第五十八研究所，无锡 214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所，无锡 214035;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071；中国电子科技集团公司第五十八研究所，无锡 214035 |
| 基金项目： | 电子元器件型谱系列科研资助项目 |
| 摘 要： | 近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23～25V,P管击穿BVdssp>19V. |
| 关 键 词： | 高压MOS器件 低压MOS器件 0.5μm CMOS工艺 工艺兼容技术 high-voltage MOSFET low-voltage MOSFET 0.5μm CMOS process embedded manufacture technology |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1268-06 |
| 修稿时间： | 2007-12-26 |
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