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| 半导体薄片少子寿命和表面复合速度的计算方法 | |
| 作者姓名： | 王宗欣 褚幼令 |
| 作者单位： | 复旦大学(王宗欣)，复旦大学(褚幼令) |
| 摘 要： | 用光电导衰退法测量半导体薄片的少子寿命时,由于表面复合的影响,通常从光照后少子衰退曲线中算得的表观寿命与实际的体寿命是相差很大的.本文给出了少子扩散方程的一种解法,计算表明,少子光电导衰退曲线用本方法解出的一次模和二次模的叠加来表示已是足够了.可以利用算得的一次模、二次模表达式从少子衰退曲线中算出表面复合速度和少子体寿命,其计算方法是比较方便的.本文还给出了一些实验和计算结果. |
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