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| High performance AIGaN/GaN HEMTs with 2.4 μm source-drain spacing | |
| 作者姓名： | 王东方 魏珂 袁婷婷 刘新宇 |
| 基金项目： | Project supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 60890191）. |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | HEMT器件 GaN 间距 性能 微米 最高振荡频率 过程实施 氮化镓 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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