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A new cleaning process for the metallic contaminants on a post-CMP wafer's surface*
作者姓名:高宝红  刘玉岭  王辰伟  朱亚东
作者单位:[1]Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China [2]School of Electronic Information Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China
基金项目:Project supported by the Chinese Major Specialized Program (No. 2009zx02308) and the Natural Science Foundation of Hebei (No. E2010000077).
摘    要:

关 键 词:金属污染物  清洗过程  硅片表面  晶圆  CMP  阳极氧化膜  X射线光电子能谱  RCA清洗
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