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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SGNEC前工序工艺技术和未来发展
作者姓名:
叶建新
饶祖刚
等
作者单位:
首钢日电电子有限公司
摘 要:
本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法,涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。
关 键 词:
CMOS
亚微米
深亚微米
DMOS
E^2PROM
集成电路
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