| 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性 |
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| 引用本文： | 王海嵩,杜国同,许成栋,宋俊峰,唐君,陈弘达,刘宇,祝宁华.钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性[J].半导体学报,2004,25(9):1143-1147. |
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| 作者姓名： | 王海嵩 杜国同 许成栋 宋俊峰 唐君 陈弘达 刘宇 祝宁华 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室 长春130023
(王海嵩，杜国同，许成栋，宋俊峰)，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083
(唐君，陈弘达，刘宇)，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083(祝宁华) |
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| 摘 要： | 采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2 m A以内,最低阈值为1.2 5 m A的85 0 nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3d B带宽最高为4 .0 GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用
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| 关 键 词： | 钨丝掩模 垂直腔面发射激光器 高频特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)09-1143-05 |
| 修稿时间： | 2003年8月23日 |
850nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser Fabricated by Large Inclined Angle Ion Implantation Using Tungsten as Mask and Its Modulation Character |
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| Wang Haisong,Du Guotong,Xu Chengdong ,Song Junfeng,Tang Jun,Chen Hongda,Liu Yu and Zhu Ninghua.850nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser Fabricated by Large Inclined Angle Ion Implantation Using Tungsten as Mask and Its Modulation Character[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(9):1143-1147. |
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| Authors: | Wang Haisong Du Guotong Xu Chengdong Song Junfeng Tang Jun Chen Hongda Liu Yu and Zhu Ninghua |
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| Affiliation: | Wang Haisong1,Du Guotong1,Xu Chengdong 1,Song Junfeng1,Tang Jun2,Chen Hongda2,Liu Yu2 and Zhu Ninghua2 |
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| Abstract: | By optimizing the technology parameters,850nm vertical cavity surface emitting laser is fabricated by large i nclined angle implantation using tungsten as mask,which is continuous operating at room temperature.The threshold current is lowest to 1.25mA.The light output power is about 0.92mW.The modulation performance of the device in TO package in dicated that the -3dB bandwidth is 4.0GHz,which can be applied in middle and h igh-speed optical communication. |
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| Keywords: | using tungsten as mask vertica l cavity surface emitting laser modulation character |
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