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| L0周边Mura分析及其改善研究 | |
| 引用本文： | 王志龙,郑英花,马亮,朱载荣,孙鹏,廖燕平.L0周边Mura分析及其改善研究[J].液晶与显示,2014,29(5):668. |
| 作者姓名： | 王志龙 郑英花 马亮 朱载荣 孙鹏 廖燕平 |
| 作者单位： | 王志龙:北京京东方显示技术有限公司CELL PI部，北京 100176 郑英花:北京京东方显示技术有限公司CELL PI部，北京 100176 马亮:北京京东方显示技术有限公司CELL PI部，北京 100176 朱载荣:北京京东方显示技术有限公司CELL PI部，北京 100176 孙鹏:北京京东方显示技术有限公司CELL PI部，北京 100176 廖燕平:北京京东方显示技术有限公司CELL PI部，北京 100176 |
| 基金项目： | 北京市优秀人才培养基金(No.2011D001146000002) |
| 摘 要： | L0周边Mura是TFT-LCD的一种常见缺陷。本文对L0周边Mura发生原因进行分析,发现真空对盒工艺进行过程中玻璃基板表面受力不均使力学合成力较少的局部位置发生形变并引起液晶屏周边区域盒厚波动,产生不良。采用辅助封框胶开环方式,主封框胶内外两侧压差趋于平衡,L0周边Mura发生率大幅降低;而通过优化辅助封框胶工艺有效地解决了周边区域力学失衡难题,不良发生率降至0.3%,改善效果明显。此外,周边优化设计方案有助于新产品开发阶段避免该不良发生。 |
| 关 键 词： | L周边Mura 液晶屏 盒厚 辅助封框胶 |
| 收稿时间： | 2014/1/1 |
Research and improvement of L0 side Mura |
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| Abstract: | |
| Keywords: | L0 side Mura panel cell gap dummy seal |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |